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微波开关模块

频率:8.5-9.5GHz
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数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:7dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:6.5dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:6.5dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:8-12GHz,损耗:8.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.55dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:2,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:4.1dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:4.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB