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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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°电桥芯片

频率:1.4-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.3dB,隔离度:10dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-2GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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°两路功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:17dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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滤波器芯片

高通频率:1.7-5GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

高通频率:2-6GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.6dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.4dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1dB,耦合度:12dB,射频端口:键合金丝