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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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匹配式 SPST

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:48dB,
HGC113
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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全正电,反射式 SPDT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:45dB,
HGC128
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单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1.85dB,隔离度:47dB,
ISW-00066T
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GaAs FET开关

频率:0-10GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:46dB,
ISW-00106T
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GaAs FET开关

频率:0-3GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:47dB,
ISW-00038T
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,
ISW4B2
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:46dB,
ISW5B2
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:47dB,
ISW8B2