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8000~9000 (2)
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-
4000~6000 (4)
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50000~65000 (2)
-
单刀双掷 (11)
单刀单掷 (1)
0.45~0.5 (3)
0.55~0.6 (2)
0.65~0.8 (5)
0.9~0.9 (2)
-
25~28 (3)
30~32 (4)
35~37 (5)
-
2 (12)
-
0~8 (2)
10~15 (7)
20~25 (2)
50~50 (1)
-
电子开关 (7)
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
NC1641C-104
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
NC1634C-104
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
NC1698C-4565
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
NC16601C-106
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
...

反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
...

反射式 SPST

频率:0-40GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:25dB,
HGC123
...

GaAsPIN开关

频率:0.05-50GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:35dB,
ISW1H
...

GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2

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