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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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功率检波器芯片

频率:1-12GHz|射频端口连接:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:6.5-8.5GHz,损耗:7.3dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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°两路功分器芯片

频率:2-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:16dB
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功分器

10-40GHz两路0°功分器,2.92-K