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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4-10GHz,LO/RF隔离度:21dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:RF:8-12GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:RF:8-12GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-32GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2.5-4GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-6.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:7dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3.9-6.2GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:4-5.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:20-36GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:32-46GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:11dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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多功能上变频芯片

单片混频多功能电路,频率:0-1.8GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:dB