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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CD492
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益8.75dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
WD0564
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益10dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
WD0616
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益7dBm,输出功率:50W,射频端口:贴装焊接
WD0617
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益9.5dBm,输出功率:25W,射频端口:贴装焊接
3DA507
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低噪声放大器模块

频率:0.7-1GHz,最大增益17dBm
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宽带低噪声放大

频率:0.1-18GHz,最大增益:15dB,噪声系数:1.6dB,输出功率:16dBm,5V,36mA
HGC367
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宽带低噪声放大

频率:0.8-18GHz,最大增益:16.5dB,噪声系数:1.9dB,输出功率:18dBm,5V,65mA
HGC364
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宽带低噪声放大

频率:0.8-20GHz,最大增益:17dB,噪声系数:2.5dB,输出功率:14dBm,5V,58mA
HGC368
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低噪声放大

频率:0.5-4GHz,最大增益:18dB,噪声系数:1.8dB,输出功率:20dBm,5V,85mA
HGC301-1