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限幅器芯片

频率:2-18GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:1.5-4.5GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.4dB,均衡量:4dB
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隔离器

960-1250MHz隔离器,SMA-K,通过功率100W
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隔离器

800-960MHz隔离器,SMA-K,通过功率100W
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隔离器

1.9-2.4GHz同轴隔离器,SMA-K,功率10W,损耗0.5,隔离度20
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隔离器

1.7-2.6GHz隔离器,SMA-K,隔离17,损耗0.5
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隔离器

950-1250MHz隔离器,微带针,100W
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开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W
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隔离器

960-1230MHz隔离器,N-K,100W
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耦合器

1500-2000MHz耦合器,20dB,微带半圆孔,30W