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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:20-40GHz,损耗:0.9dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:40dB,
HG117K1
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG133K-2
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG125KA-1
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
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全正电,反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124