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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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GaAs FET开关

频率:0-40GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:52dB,
ISW-0040ST
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,
HG145KC-1
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

1000-4000MHz单刀五掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W