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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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微波开关模块

频率:21-24GHz
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数控移相器芯片

频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:17-21GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:18.5-23.5GHz,损耗:9.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:0-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.7dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5