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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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隔离器

12-15GHz隔离器,SMA-K,隔离度18,损耗0.6
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:21dB,
HG124K2