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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537