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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:7.5
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数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75
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数控衰减器芯片

频率:26-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:32-40GHz,损耗:4.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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电调衰减器芯片

频率:25-50GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns