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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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数控移相器模块

频率:15-17GHz,最大增益9dBm
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数控衰减器模块

频率:19-23GHz,最大增益4dBm
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数控衰减器模块

频率:34-36GHz,最大增益5.5dBm
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限幅器芯片

频率:18-26GHz,损耗:0.9,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:29-32GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:32-38GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:14-18GHz,损耗:0.74dB,均衡量:2dB
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隔离器

27-31GHz隔离器,2.92-K,隔离度15,损耗0.8
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隔离器

17-21GHz隔离器,2.92-K,损耗0.8,隔离15
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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双工器

23.4GHz&30.4GHz双工器,f0±500MHz≥65&f0±800MHz≥60dB