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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:3.1-3.4GHz,最大增益0.8dBm
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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双工器

600-1000MHz&1600-3000MHz双工器,≥70dB@1800-3000MHz&≥70dB@600-1000MHz
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双工器

双工器频率600-1000&1600-3000MHz,SMA-K
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双工器

双工器频率7238-7246&8144-8164MHz
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:0.8dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC134-4
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开关芯片

频率:5-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:45dB,
HG127K2
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:0.8dB,接口:键合金丝,均衡量:5.5dB,芯片尺寸:0.85*0.8*0.1
AMEQ1X05S