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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:3.1-3.4GHz,最大增益0.8dBm
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:18-26GHz,损耗:0.9,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:32-38GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:0.1-3GHz,损耗:0.7dB,均衡量:9.5dB
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均衡器芯片

频率:1.3-2.3GHz,损耗:0.9dB,均衡量:3.3dB
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均衡器芯片

频率:14-18GHz,损耗:0.74dB,均衡量:2dB
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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单片均衡器

频率:0-12GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,均衡量:9dB,
HG115JH-1
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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耦合器

5-1000MHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K,功率1W