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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB,均衡量:2.4dB
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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单片均衡器

频率:0-12GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,均衡量:9dB,
HG115JH-1
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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双工器

双工器频率7238-7246&8144-8164MHz
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8