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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:45dB,

型号:ISW2H

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:44dB,

型号:ISW3H

频率:0.05-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:54dB,

型号:ISW4H