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数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:25,最大衰减:25
NC1349C-109
...

数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:40,最大衰减:40
NC1358C-112
...

数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
NC1362C-112
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
NC1351C-812
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1615C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
NC1631C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PDM
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
NC1603C-110
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112M
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112NL
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112PD
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限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1832C-508
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均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB，均衡量：3dB
NC6006C-812

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