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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.55dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8-11GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8.5-12GHz,损耗:0.45,限幅电平:14dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:6-14GHz,损耗:0.55dB,均衡量:6dB
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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隔离器

9925-10325MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4
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隔离器

10025-10225MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4
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隔离器

9-10GHz隔离器,SMA-K/FD,隔离22,损耗0.4
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隔离器

12-18GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
YG600A-5
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隔离器

7.7-8.5GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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隔离器

7-7.7GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5