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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG133K-2
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单刀三掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1007LP4
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HG137KA
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GaAs FET开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:55dB,
ISW-00203T
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GaAsPIN开关

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:44dB,
ISW3H
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:47dB,
ISW3
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:50dB,
ISW3B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW310E
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:41dB,
ISW3B2