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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns

型号:NC1641C-104

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns

型号:NC1634C-104

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns

型号:NC16511C-0006

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns

型号:NC16601C-106

开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,

型号:HG123KB

隔离器

960-1230MHz双结隔离器，隔离38，损耗1，微带针接口

型号:DG8-960-1230-536

开关

1000-6000MHz单刀双掷开关，SMA-K

型号:TSS537

反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,

型号:HGC114-4

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,

型号:HG127K2A

服务热线:(86) 028-84085873