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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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GaAsPIN开关

频率:0.05-50GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:35dB,
ISW1H