购物车0
中电科十三所 (25)
康迈微 (12)
华光瑞芯 (7)
中科海高 (7)
芯谷微电子 (4)
国芯微电子 (4)
500~1000 (6)
2000~4000 (5)
7000~8000 (18)
8500~13236 (5)
-
12000 (52)
13000 (2)
11000 (1)
13276 (2)
11500 (2)
-
N (8)
SMA (4)
单刀三掷 (5)
集成数控衰减器 (4)
电调衰减器 (1)
单刀单掷 (2)
单刀双掷 (10)
限幅器 (11)
均衡器 (13)
反射式 (7)
数控衰减器模块 (1)
微波单片控制类 (24)
60 (1)
30 (1)
40 (1)
-
0.2~0.4 (8)
0.45~0.6 (15)
0.7~0.94 (12)
0.95~1.2 (20)
1.3~1.5 (4)
-
20~30 (3)
32~35 (3)
40~45 (10)
50~51 (3)
60~60 (7)
-
0~2 (36)
10~15 (2)
20~50 (9)
150~150 (1)
-
0~1 (2)
3~3.5 (5)
4~8 (5)
9~9 (1)
-
40 (1)
20 (1)
0.25 (1)
- (1)
dB (1)
电子开关 (14)
5~8 (2)
10~15 (13)
280~15000000 (8)
-
40 (2)
20 (1)
1.75 (1)
32 (1)
21 (1)
-
13.5~14 (2)
14.5~15 (4)
16~17 (2)
-
2 (6)
4 (1)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
NC1604C-112
...

数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:40,最大衰减:40
NC1358C-112
...

数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
NC1362C-112
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.55dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
NC13110C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
NC1351C-812
...

电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1387C-713
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1615C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
NC1631C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PDM
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
NC1603C-110
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112M

购物指南

配送方式

支付方式

关注电子宝公众号

加入电子宝微信群