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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112M
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112NL
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1605C-112PD
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
NC1676C-409
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1687C-408
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-7GHz，最大增益-dBm
NC3310S-107
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1811C-108
...

限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1832C-508
...

限幅器芯片

频率:8-11GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1816C-811
...

限幅器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1810C-812
...

限幅器芯片

频率:8.5-12GHz,损耗:0.45,限幅电平:14dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1823C-812

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