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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.55dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
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电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:8-11GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB,均衡量:3dB
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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隔离器

12-18GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
YG600A-5
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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隔离器

7.7-8.5GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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隔离器

7-7.7GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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耦合器

7500-16000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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耦合器

8000-18000MHz耦合器,耦合度10dB,微带焊盘
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耦合器

8-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,损耗1.2dB,SMA-K
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耦合器

8-12GHz耦合器,40dB,150W,输入TNC-J,输出N-K