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中电科十三所 (31)
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-
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-
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-
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-
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-
4位及以下 (3)
1.75~15.5 (2)
30~32 (2)
35~40 (2)
-
筛选项:
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限幅器芯片

频率:2-18GHz,损耗:0.6,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1803C-218
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1670C-218
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1669C-218
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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
NC12110C-407
...

数控移相器芯片

频率:4-14GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
NC12109C-414
...

数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
NC12125C-618
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.55dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
NC13110C-812
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
NC1351C-812
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
NC1372C-203
...

电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
NC1386C-409
...

电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1387C-713
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1663C-206
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
NC1676C-409
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1687C-408
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
NC16602C-618

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