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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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微波开关模块

频率:8.5-9.5GHz
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数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:40,最大衰减:40
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:6-8GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:36
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电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB