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-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
NC1604C-112
...

数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:16,最大衰减:16
NC1322C-118A
...

数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:3.75
NC1326C-118
...

电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1387C-713
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC1601C-118PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC16114C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
NC1631C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1632C-2527PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1633C-2227PD
...

均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB，均衡量：3.5dB
NC6014C-218
...

均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB，均衡量：2dB
NC6015C-218
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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双工器

双工器频率13.5-13.82&13.98-14GHz
ZCB5-C13.5-14G-409
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耦合器

8000-18000MHz耦合器，耦合度10dB，微带焊盘
ZDC2-10M8-18G-1801
...

耦合器

17-22GHz耦合器，10dB，SAM-K，30W
ZDC5-10M17-22G-667

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