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数控衰减器芯片

频率:0-8GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:1,最大衰减:31
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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微波开关模块

频率:0-12GHz
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微波开关模块

频率:8.5-9.5GHz
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数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:16,最大衰减:16
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-8.5GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,步进:3,最大衰减:21
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:3.75
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:2,最大衰减:30