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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs FET开关

频率:0-40GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:52dB,
ISW-0040ST
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匹配式 SPST

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:48dB,
HGC113
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全正电,匹配式 SPST

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:50dB,
HGC119
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单刀单掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:55dB,芯片尺寸:1.5*1.0*0.1
AMSW0004S
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单刀单掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.05*1.05*0.1
AMSW0005S
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单刀单掷开关

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸:1.9*1.0*0.1
AMSW0001S