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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-1.215GHz,增益7.5dBm,输出功率:85W,射频端口:贴装焊接
3DA518
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LC带通滤波器

频率:0.06545-0.07455GHz,中心频率插损:3.85dB
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MMIC低通滤波器

频率:0-14GHz
BWLF-14
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MMIC低通滤波器

频率:0-17GHz
BWLF-17
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MMIC低通滤波器

频率:0-7GHz
BWLF-7
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LTCC低通滤波器

频率:0-0.63GHz
LTLP630-S3
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LTCC低通滤波器

频率:0-0.9GHz
LTLP900-S3
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低噪声放大器芯片

频率:12-18GHz,增益:29dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:18dBm,输出功率:42dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:0-8GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:1,最大衰减:31
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数控衰减器芯片

频率:0-8GHz,损耗:3.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB