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电容芯片

射频电容容值:6pf
NC6205C-B
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电容芯片

射频电容容值:10pf
NC6206C-C
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电容芯片

射频电容容值:15pf
NC6207C-D
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电容芯片

射频电容容值:20pf
NC6203C-E
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

8 位串转并,互补输出输入、电源和地在左侧加电)
NC2044C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

8 位串转并,互补输出(输入、电源和地下加电)
NC2044-1C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

8 位串转并,低使能,互补输出
NC2075C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

12 位串转并,3 个独立位
NC2058C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

12 位串转并,低使能,上电复位
NC20100C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

13 位串转并,低使能,带串出,上电复位
NC2099C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

16 位串转并,二选一,2 个独立位
NC2054C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

20 位串转并,二选一,低使能,输出控制位与NC2073不同
NC2097C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

20 位串转并,二选一,4 个独立位
NC2057C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并,二选一,低使能,有回读功能
NC2059-1C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并,二选一,低使能,有回读功能
NC2059-1CM
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并,二选一,低使能
NC2078C