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最大输入电压
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电容容值
(pf)
0.1~1
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1.2~3
(9)
3.8~10
(16)
15~50
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68~1000
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串联电阻
0~0.5
(40)
0.55~1.2
(51)
1.3~2.2
(40)
2.3~4.7
(21)
5~78
(12)
-
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负偏结电容
0.02~0.15
(56)
0.16~0.6
(88)
0.65~2.15
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2.2~4.22
(42)
4.7~42
(25)
-
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驱动器开关时间
15-40ns
(18)
>40ns
(5)
<15ns
(83)
少子寿命
1.5~15
(29)
16~120
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150~500
(27)
600~2500
(16)
3000~82000
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应用环境
射频微波
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驱动电流
>±50mA
(24)
±21-±50mA
(21)
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(1)
3
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最小电感量
(nH)
5~10
(2)
20~50
(2)
80~200
(3)
1100~1600
(2)
5300~7900
(2)
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D结构芯片电容
国产化替代Skyworks,SC00080912,芯片电容值0.8pf
型号:
CSH50V1030M8080C
D结构芯片电容
国产化替代Skyworks,SC00080912,芯片电容值0.8pf
型号:
CSH50V2230M138102C
单层陶瓷电容
国产化替代Skyworks,SC00080912,芯片电容值0.8pf
型号:
CT20V0100K3535M
单层陶瓷电容
国产化替代Skyworks,SC00080912,芯片电容值0.8pf
型号:
CT20V0200K3737M
单层陶瓷电容
国产化替代Skyworks,SC00080912,芯片电容值0.8pf
型号:
CT20V1000K8585M
单层陶瓷电容
国产化替代Skyworks,SC00080912,芯片电容值0.8pf
型号:
CT50V0100K3737M
单层陶瓷电容
国产化替代Skyworks,SC00080912,芯片电容值0.8pf
型号:
CT50V0150K3737M
单片电阻器芯片
射频负载电阻国产化替代EMC,CT0402D,功率10W,频率8000MHz
型号:
WQX0041H
单片电阻器芯片
射频负载电阻国产化替代EMC,CT0505D,功率50W,频率20000MHz
型号:
WQX0042H
单片电阻器芯片
射频负载电阻国产化替代EMC,CT0603D,功率50W,频率28000MHz
型号:
WQX0043H
单片电阻器芯片
射频负载电阻国产化替代EMC,CT1310D,功率150W,频率14000MHz
型号:
WQX0044H
单片电阻器芯片
射频负载电阻国产化替代EMC,CT1612D,功率380W,频率12000MHz
型号:
WQX0045H
芯片电感
芯片电感,5nH,
型号:
HG05L
芯片电感
芯片电感,10nH,
型号:
HG10L
芯片电感
芯片电感,20nH,
型号:
HG20L
芯片电感
芯片电感,50nH,
型号:
HG50L
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