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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns