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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

500-2000MHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离80dB,功率容量0.2W
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

1000-4000MHz单刀五掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

4000-8000MHz单刀八掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W
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开关

22-40GHz射频开关,单刀双掷,损耗3dB,隔离60dB,2.92-K
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开关

22-40GHz单刀六掷开关,损耗6dB,隔离60dB,2.92-K