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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
NC1641C-104
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
NC1634C-104

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