-
-
-
-
-
-
-
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
...

开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W
...

射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1S8T1218T