-
-
-
-
-
-
-
...

GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
...

GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
...

开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W