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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-18000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15mS
1S21218
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射频开关

DC-18000MHz双刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间20ms
2S21218
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22406
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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射频开关

DC-18000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15mS
1S22818
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15mS
1S22806
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15mS
1S21206
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射频开关

DC-18000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15mS
1S21218T
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15mS
1S21206T
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射频开关

DC-18000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间20mS
2S22418T