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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W