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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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开关

22-40GHz射频开关,单刀双掷,损耗3dB,隔离60dB,2.92-K
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开关

22-40GHz单刀六掷开关,损耗6dB,隔离60dB,2.92-K