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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

4000-8000MHz单刀八掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

22-40GHz射频开关,单刀双掷,损耗3dB,隔离60dB,2.92-K