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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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射频开关

DC-40000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K82440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K81240T
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射频开关

DC-40000MHz单刀六掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K62440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀六掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K61240T
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射频开关

DC-40000MHz单刀四掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K42440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀四掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K41240T
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射频开关

DC-40000MHz单刀三掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K32440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀三掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K31240T
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射频开关

DC-40000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K22440T