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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

500-2000MHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离80dB,功率容量0.2W
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开关

1000-4000MHz单刀五掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

4000-8000MHz单刀八掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W