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GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
NC16511C-0006
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开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关，功率容量80W
DSW3-3R1980-2010-688

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