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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22406
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15mS
1S22806
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15mS
1S21206
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15mS
1S21206T
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间20mS
2S22406T
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间20mS
2S21206T
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间20mS
2S22806T
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1S22406T
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间15ms
1S22806T