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GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
NC16511C-0006
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GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
NC16512C-0006
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开关

DC-26500MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压24V，开关时间15mS
1S2T2426T
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射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关，TTL控制，工作电压24V,开关时间15ms
1S8T2418T
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射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关，TTL控制，工作电压12V,开关时间15ms
1S8T1218T

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