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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15mS
1S22806
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15mS
1S21206
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15mS
1S21206T
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间20mS
2S22406T
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间20mS
2S21206T
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间20mS
2S22806T